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ZAG7001零气发生器
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产烟毒性试验装置(鼠笼法
产烟毒性试验装置(鼠笼法)技术参数:1、试验设备包括环形炉、炉位移装置、石英管装置、温度校准装置、染毒箱、转笼、温度控制装置、空气流控制装置、三通阀。2、环形炉, 由炉壳、炉体、炉管和电加热丝
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A.L.S. PiLas 皮秒激光器
PiLas 皮秒激光器规格参数:光学参数PiLas中心波长(1)375 nm – 2 μm脉宽(2)20 ps – 150 ps脉冲峰值功率(3)20 mW – 1 W脉冲能量(4)1 – 50
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1550nm单频激光器模块(超低RIN值
技术参数参数符号zei低值典型值zei高值单位输出功率*Po 80mW中心波长λc1550nm光谱半高宽度FWHM 50 100kHz边模抑制比SMSR 40dB
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1550nm单频半导体激光器 (超低RIN值
技术参数参数符号zei低值典型值zei高值单位输出功率Po 80mW中心波长λc1550nM光谱半高宽度FWHM50100kHz边模抑制比SMSR40dB消光比*PER20dB相对强度噪声
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1550nm单频半导体激光器 (超窄线宽
技术参数参数符号zei低值典型值zei高值单位输出功率Po20mW中心波长λc1550nM光谱半高宽度FWHM5 / 15kHz边模抑制比SMSR40dB消光比*PER20dB相对强度噪声
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1064nm单模半导体激光器
技术指标参数符号zei低值典型值zei高值单位输出功率Po80mW中心波长λc1063.510641064.5nm光谱半高宽度FWHM0.06nm边模抑制比SMSR4050dB阈值电流
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1064nm种子源激光器
技术指标参数符号zei低值典型值zei大值单位阈值电流Ith70mA脉冲输出峰值功率Ppulse1300mW脉冲电流峰值(500ns, 1%占空比)Ipulse20002200mA脉冲峰值波长
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785nm窄线宽高功率半导体激光器模块
技术参数参数符号zei低值典型值zei高值单位输出功率*Po500mW中心波长λc784.5785785.5nm光谱半高宽度FWHM0.080.12nm边模抑制比SMSR3035dB工作电流
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785nm窄线宽半导体激光器
技术参数参数符号zei低值典型值zei高值单位中心波长λc784.5785785.5nm光谱半高宽度FWHM0.080.12nm边模抑制比SMSR3035dB工作电压Vop1.92.2VTEC
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